[16p-K203-1~10] 次世代トランジスタに向けた新規な機能性酸化物半導体チャネル材料・デバイス・作製技術の新展開

16:35 〜 17:05

[16p-K203-8] 強相関酸化物を用いたスピントランジスタ

〇⼤⽮ 忍^1,2、遠藤 達朗¹、中村 葵¹、田中 雅明^1,2 (1.東大院工、2.東大スピンセンター)

キーワード：

強相関酸化物、スピントランジスタ、磁気抵抗

Spin MOSFETは不揮発記憶を可能とするトランジスタで、次世代デバイスとして期待されている。しかし、強磁性体と半導体の界面制御の難しさから、磁気抵抗（MR）比は1～10%にとどまっていた。我々は強相関酸化物である(La,Sr)MnO₃を用いて、そのナノ領域に酸素欠損を導入することにより形成した半導体チャネルをもつSpin MOSFETを作製し、140%の大きなMR比を実現することに成功した。