[16p-K205-1~10] カーボンニュートラルを実現する半導体低消費電力化技術の最前線

15:50 〜 16:05

[16p-K205-7] 高熱伝導絶縁体AlN膜を用いた高放熱性3D Chipletの研究

〇高木 剛¹、二宮 健生¹、丹羽 正昭¹、黒田 忠広¹ (1.東大院工)

キーワード：

半導体、窒化アルミニウム、放熱

高性能かつ低消費電力を実現するために、さまざまな3DIC技術が開発されているが、エネルギー密度が増大することにより、チップ内部の温度上昇が深刻な問題となっている。これまで、高熱伝導率絶縁体であるAlNをTSV絶縁膜、配線層絶縁膜、チップ間絶縁膜として用い、チップ内部で発生した熱を効率的に外部に放熱する ”Cool 3D Chiplet” を提案してきた。本研究では、3DICの放熱性が向上することによるCO₂の削減効果について検討した。