[16p-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:00 〜 14:15

[16p-K301-1] [第46回論文奨励賞受賞記念講演] 光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いたSiCウェハの超急速熱処理時の3D温度分布のリアルタイム可視化

〇Yu Jiawen¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大)

キーワード：

SiC、超急速熱処理、プラズマプロセス

超急速熱処理におけるリアルタイム温度測定は,温度制御の精度向上, プロセスの均一性と再現性を確保するために不可欠である. しかし,特にプラズマプロセスや超急速熱処理時中の温度測定が非常に困難である. 本研究では,光学干渉非接触温度測定法(Optical-Interference Contactless Thermometry: OICT)を基盤に, 超急速熱処理時のリアルタイム温度測定技術を開発した.この技術を用いて,大気圧熱プラズマジェット（Thermal Plasma Jet: TPJ）によるミリ秒アニーリング中のSiCウェハにおける過渡的な三次元温度分布のリアルタイム可視化を成功した.