2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-K301-1~13]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2025年3月16日(日) 14:00 〜 17:30
K301 (講義棟)
細井 卓治(関学大)
14:00 〜 14:15

[16p-K301-1][第46回論文奨励賞受賞記念講演] 光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いたSiCウェハの超急速熱処理時の3D温度分布のリアルタイム可視化

〇Yu Jiawen1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大)
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14:15 〜 14:30

[16p-K301-2]n型4H-SiC上シリコンキャップアニールコンタクトに対する高温アニールの影響

〇福澤 尊仁1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大先進理工)
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14:30 〜 14:45

[16p-K301-3]原子番号12−15の低速<0001>チャネリングイオンに対する4H-SiCおよび2H-GaNの電子阻止能比較

〇望月 和浩1、西村 智朗1、三島 友義1 (1.法政大)
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14:45 〜 15:00

[16p-K301-4]4H-SiCへの<0001>方向チャネリングイオン注入:Si面とC面は同じか？

〇加藤 正史1 (1.名工大)
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15:00 〜 15:15

[16p-K301-5]Trench形成した4H-SiC基板上の3C-SiC/4H-SiC積層エピ層に対する
ラマン分光法を用いたポリタイプ比率分析

〇長谷川 拓裕1、長澤 弘幸2、加藤 正史1 (1.名工大院工、2.株式会社CUSIC)
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15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[16p-K301-6]SiC pn ダイオードの順方向通電時の LOPC ラマンスペクトルシフト

〇小橋 一玄1、星井 拓也1,3、Myalitsin Anton2、依田 孝3、大場 隆之3、角嶋 邦之1,3 (1.東京科学大工、2.ANVOS Analytics（株）、3.東京科学大 WOW)
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15:45 〜 16:00

[16p-K301-7]4H-SiCエピ層における全方位フォトルミネッセンススペクトルの膜厚依存性

〇牧野 隼宜1、鈴木 健吾2、加藤 正史1 (1.名工大院工、2.浜松ホトニクス株式会社)
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16:00 〜 16:15

[16p-K301-8]第一原理計算を用いた4H-SiC中の基底面転位(BPD)拡張メカニズムの解明

〇(M2)佐野 雅季1、小島 淳2、恩田 正一2、依田 孝3、大場 隆之3、押山 淳2、白石 賢二1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.東京科学大学 WOW Alliance)
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16:15 〜 16:30

[16p-K301-9]SiC基板への裏面プロトン注入の積層欠陥拡張抑制効果

〇リ トウ1、坂根 仁2、原田 俊太3、加藤 正史1 (1.名工大、2.住重アテックス、3.名大)
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16:30 〜 16:45

[16p-K301-10]低BPD密度ウェハによるバイポーラ劣化の抑制

〇(P)Zhang Endong1、稲吉 晴子2、杉山 智彦2、松島 潔2、吉川 潤2、加藤 正史1 (1.名工大、2.日本ガイシ(株))
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16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[16p-K301-11]窒化物成長に向けたSi極性3C-SiC/Diamond接合

〇(B)岩本 晃1、坂井田 佳紀2、浦谷 泰基2、重川 直輝3、梁 剣波3 (1.大阪市大工、2.エア・ウォーター（株）、3.大阪公大工)
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17:00 〜 17:15

[16p-K301-12]ダイヤモンドMOS電界効果トランジスタの4050時間連続動作

サハ ニロイ　チャンドラ1、白土 智基1、大石 敏之1、江口 正徳2、〇嘉数 誠1 (1.佐賀大院理工、2.佐賀大シンクロトロン)
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17:15 〜 17:30英語発表

[16p-K301-13]High Power Cut-off Frequency (fMAX) 74 GHz Diamond MOSFETs with Lg= 157 nm.

〇Niloy Chandra Saha1, Masanori Eguchi2, Yoshiki Muta1, Toshiyuki Oishi1, Makoto Kasu1 (1.Dept. Electrical Electronic Eng., Saga Univ., 2.Synchrotron Research Center, Saga Univ.)
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