[16p-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[16p-K301-11] 窒化物成長に向けたSi極性3C-SiC/Diamond接合

〇(B)岩本 晃¹、坂井田 佳紀²、浦谷 泰基²、重川 直輝³、梁 剣波³ (1.大阪市大工、2.エア・ウォーター（株）、3.大阪公大工)

キーワード：

窒化物半導体、ダイヤモンド、表面活性化接合

我々は過去に、表面活性化接合法により作製した窒化物半導体/3C-SiC buffer//Diamond構造において、窒化物半導体素子の優れた放熱特性を実証した。本研究では窒化物半導体層の構造自由度拡大を目指し、接合後の結晶成長を見据えた3C-SiC buffer//Diamond構造を作製した。