講演情報

17:15 〜 17:30英語発表

[16p-K301-13]High Power Cut-off Frequency (f_MAX) 74 GHz Diamond MOSFETs with Lg= 157 nm.

〇Niloy Chandra Saha¹, Masanori Eguchi², Yoshiki Muta¹, Toshiyuki Oishi¹, Makoto Kasu¹ (1.Dept. Electrical Electronic Eng., Saga Univ., 2.Synchrotron Research Center, Saga Univ.)

キーワード：

Diamond、RF Device

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