[16p-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:30 〜 14:45

[16p-K301-3] 原子番号12−15の低速<0001>チャネリングイオンに対する4H-SiCおよび2H-GaNの電子阻止能比較

〇望月 和浩¹、西村 智朗¹、三島 友義¹ (1.法政大)

キーワード：

GaN、SiC、チャネリング