[16p-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:45 〜 15:00

[16p-K301-4] 4H-SiCへの<0001>方向チャネリングイオン注入:Si面とC面は同じか？

〇加藤 正史¹ (1.名工大)

キーワード：

SiC、イオン注入、チャネリング

近年4H-SiC内部の深い位置にドーピングをする手法としてチャネリングイオン注入が注目されている。4H-SiCにおいてイオンがチャネリング可能な結晶軸の方向は複数あるが、実施しやすいのは<0001>方向へのイオン注入である。本研究ではAlイオンを4H-SiCのSi面とC面に注入し、Alの分布の相違を観測した。