[16p-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:00 〜 15:15

[16p-K301-5] Trench形成した4H-SiC基板上の3C-SiC/4H-SiC積層エピ層に対する
ラマン分光法を用いたポリタイプ比率分析

〇長谷川 拓裕¹、長澤 弘幸²、加藤 正史¹ (1.名工大院工、2.株式会社CUSIC)

キーワード：

同時横方向エピタキシャル成長、ラマン分光法