[16p-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[16p-K301-6] SiC pn ダイオードの順方向通電時の LOPC ラマンスペクトルシフト

〇小橋 一玄¹、星井 拓也^1,3、Myalitsin Anton²、依田 孝³、大場 隆之³、角嶋 邦之^1,3 (1.東京科学大工、2.ANVOS Analytics（株）、3.東京科学大 WOW)

キーワード：

半導体、SiCパワーデバイス、LO フォノン-プラズモン結合モード

順方向バイアス下の 4H-SiCp+n 接合ダイオードを用い、共焦点光学系の顕微 Raman 分光を用いてLO フォノン-プラズモン結合モード（ LOPC スペクトル）を測定した。順方向バイアスの通電電流量に応じてエピタキシャル層の LOPC スペクトルが緩やかな形状に変化する様子を確認でき、正孔注入による電子濃度の変化に対応していることがわかった。