[16p-K301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

16:15 〜 16:30

[16p-K301-9] SiC基板への裏面プロトン注入の積層欠陥拡張抑制効果

〇リ トウ¹、坂根 仁²、原田 俊太³、加藤 正史¹ (1.名工大、2.住重アテックス、3.名大)

キーワード：

SiC、プロトン注入、積層欠陥