[16p-K302-1~6] 13.8 光物性・発光デバイス

13:30 〜 13:45

[16p-K302-1] [第57回講演奨励賞受賞記念講演] 希薄窒化物半導体を用いた偏光変調検出フォトダイオードの動作特性

〇峯山 大輝¹、矢野 龍弥¹、江藤 亘平¹、中間 海音²、橋本 英季²、峰久 恵輔²、高山 純一¹、スバギョ アグス¹、末岡 和久¹、石川 史太郎²、村山 明宏¹、樋浦 諭志¹ (1.北大院情報科学、2.北大量子集積)

キーワード：

希薄窒化物半導体、近赤外フォトダイオード、偏光依存光電流