講演情報
[16p-K307-10]BT-BMT-BF圧電セラミックスの電場印加下放射光X線回折実験
〇(M2)有賀 資起1、古川 令1、中川 翔太2、Kim Sangwook1、Nam Hyunwook3、上野 慎太郎2、藤井 一郎2、河口 彰吾4、小林 慎太郎4、和田 智志2、黒岩 芳弘1 (1.広島大学、2.山梨大学、3.東京理科大学、4.JASRI)
キーワード：
非鉛系圧電体、電場、放射光X線回折実験
BaTiO3 (BT), Bi(Mg0.5Ti0.5)O3 (BMT)およびBiFeO3 (BF)からなる固溶体BT-BMT-BFセラミックスは優れた圧電性・強誘電性を示し，鉛系セラミックスの代替材料として注目されている．BT-BMT-BFの結晶系は立方晶に見えるものの，電場を印加すると，単位格子のコーナー位置からオフセンターしたBiイオンが電場方向へ部分秩序することで格子がひずむ．今回は，このセラミックス材料を対象に，SPring-8でDCおよびAC電場印加下の放射光X線回折実験により格子ひずみを計測した結果を示す．
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