[16p-K309-1~10] 3.12 半導体光デバイス

14:30 〜 14:45

[16p-K309-5] 反転型構造を用いたInGaAs/InP高速フォトダイオードの低暗電流動作

〇山田 友輝¹、平岡 郁恵¹、中島 史人¹ (1.NTT先デ研)

キーワード：

半導体、PD、信頼性

高速フォトダイオード(PD)は光通信の高速化に不可欠な技術であり、これま我々は超200 Gbps通信に向けたPDについて報告してきた。通信用PDでは信頼性の観点から暗電流低減が課題である。我々はPDの反転型構造を提案し、既報告の中で最も低い水準の暗電流特性を報告してきた。本稿では反転型構造の電界狭窄効果を検討し、暗電流低減効果への有効性を議論する。