セッション詳細
[16p-K309-1~10]3.12 半導体光デバイス
2025年3月16日(日) 13:30 〜 16:15
K309 (講義棟)
[16p-K309-1]TFLN導波路用グレーティングカプラの構造最適化(Ⅲ)
〇北原 凌成1、吉田 凌一1、羽中田 祥司1、田原 直樹1、馬場 俊彦1 (1.横国大院工)
[16p-K309-2]3-Diminsional Optical Wireless Power Transmission Using Robotic Arm
〇(D)SHAOPU ZHOU1, WENLONG YI1, ZHAOYANG XING1, TAKEO MARUYAMA1 (1.Kanazawa Univ.)
[16p-K309-3]Near-infrared photodetector of Ge epitaxial layer on Si patterned substrate (2)
Koki Tsutsumi1, 〇(D)FAIZ FAIZ MOHD1, Jose A. Piedra-Lorenzana1, Takeshi Hizawa1, Tetsuya Nakai2, Yasuhiko Ishikawa1 (1.Toyohashi Univ. Tech., 2.SUMCO)
[16p-K309-4]Si基板上Ge層を用いたpin受光器の暗電流低減
阿部 洸司1、〇小椋 亮弥1、吉野 雄貴1、濵田 直希1、Piedra-Lorenzana Jose A.1、飛沢 健1、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大)
[16p-K309-5]反転型構造を用いたInGaAs/InP高速フォトダイオードの低暗電流動作
〇山田 友輝1、平岡 郁恵1、中島 史人1 (1.NTT先デ研)
[16p-K309-6]非対称パワースプリッターにおける光の入射位置変化に伴う影響の検討
〇(B)原口 卓馬1、姜 海松1,2、浜本 貴一1,2 (1.九州大工、2.九州大院総理工)
[16p-K309-7]1.55μm帯における25層積層QD-SOAの特性評価
〇(B)千代 尚哉1,2、松本 敦2、中島 慎也2、梅沢 俊匡2、赤羽 浩一2、前田 智弘1,2、外林 秀之1 (1.青学大理工、2.情通機構)
[16p-K309-8]ペロブスカイト結晶の構造観察と太陽電池特性
〇高橋 冴実1、為我井 晴子1、溝口 照康2、内田 聡3、瀬川 浩司1,3 (1.東大院総合、2.東大生産研、3.東大先端研)
[16p-K309-9]金/炭化ケイ素複合ナノ粒子光触媒の可視光応答の向上と光誘起電荷移動ダイナミクス
〇古部 昭広1、柚山 俊介1、片山 哲郎1、コインカー パンカジ1 (1.徳島大pLED)
[16p-K309-10]光導波路型集中配置方式合波器による3原色レーザー光合波
〇中尾 慧1、勝山 俊夫2、山田 祥治2 (1.福井大工、2.福井大産学官連携本部)