講演情報
[16p-K310-1][第57回講演奨励賞受賞記念講演] III-V/Si集積に向けたMOVPE選択成長によるSOI (001)基板上InPマイクロテンプレートおよびInP/InGaAsPダブルヘテロ構造の作製
〇本間 寛弥1、杉山 弘樹1、開 達郎1、藤井 拓郎1、佐藤 具就1、松尾 慎治1 (1.NTT 先デ研)
キーワード：
Si上III-V族半導体成長、選択成長、MOVPE/MOCVD
我々はSOI (001)基板上に形成した中空構造内へのInP薄膜横方向成長によるテンプレート形成技術と，テンプレート上への選択再成長技術を組み合わせ，メンブレンレーザを含むIII-V族半導体光デバイスのモノリシック集積実現を目指して研究を進めている．本講演ではこれまでの面欠陥抑制に関する検討について簡単に振り返った後，高品質化したInPテンプレート上でのInP/InGaAsPダブルヘテロ構造 の再成長実現について報告する．