2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[16p-K310-1~5]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2025年3月16日(日) 13:30 〜 14:45
K310 (講義棟)
13:30 〜 13:45

[16p-K310-1][第57回講演奨励賞受賞記念講演] III-V/Si集積に向けたMOVPE選択成長によるSOI (001)基板上InPマイクロテンプレートおよびInP/InGaAsPダブルヘテロ構造の作製

〇本間 寛弥1、杉山 弘樹1、開 達郎1、藤井 拓郎1、佐藤 具就1、松尾 慎治1 (1.NTT 先デ研)
13:45 〜 14:00

[16p-K310-2]InAs/GaAs(111)A赤外検出器の動作機構：GaAs基板表面の影響

〇間野 高明1、石田 暢之1、川津 琢也1、大竹 晃浩1、宮崎 英樹1 (1.NIMS)
14:00 〜 14:15

[16p-K310-3]サファイア (0001) 基板上における AlGaAs の分子線エピタキシャル成長と特性の成長膜厚依存性

〇(B)和島 颯汰1,3、橋本 英李2,3、佐藤 大樹4、西谷 智博4、石川 史太郎3 (1.北大工、2.北大情科院、3.北大量積セ、4.フォトエレクトロンソウル)
14:15 〜 14:30

[16p-K310-4]GaAsBiのMBE成長時の基板温度測定法

〇下村 哲1、江口 陸1、今井 大登1 (1.愛媛大院理工)
14:30 〜 14:45

[16p-K310-5](001)面カイネティック・ラフニングにおけるKPZ-BKT普遍クラスとその温度、駆動力依存性

〇阿久津 典子1、寒川 義裕1 (1.九大応研)
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