講演情報
[16p-K310-2]InAs/GaAs(111)A赤外検出器の動作機構：GaAs基板表面の影響
〇間野 高明1、石田 暢之1、川津 琢也1、大竹 晃浩1、宮崎 英樹1 (1.NIMS)
キーワード：
インジウム砒素、ガリウム砒素、表面不純物
n-GaAs(111)A基板上に成長した格子緩和n-InAsを用いた赤外検出器の動作原理の探索を行った。n-GaAsバッファー層を成長した試料としない試料を比較した結果、成長前の基板表面に残留する高濃度不純物のピニング効果がデバイスの動作に大きな影響を与えていることが明らかになった。ピニング効果により矩形のGaAs障壁が形成されて、低暗電流、高感度の素子特性が実現されることが示唆された。