[16p-K310-1~5] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

14:15 〜 14:30

[16p-K310-4] GaAsBiのMBE成長時の基板温度測定法

〇下村 哲¹、江口 陸¹、今井 大登¹ (1.愛媛大院理工)

キーワード：

MBE、GaAsBi、サーモグラフィ

GaAsBiの成長用のサーモグラフィを用いた基板温度測定法を提案する。