[16p-K401-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

15:30 〜 15:45

[16p-K401-10] HVPE成長Mg添加p型GaNのフォトルミネッセンススペクトル(II)

〇秩父 重英¹、大西 一生²、渡邉 浩崇²、新田 州吾²、本田 善央^2,3、天野 浩^2,3、上殿 明良⁴、石橋 章司⁵、嶋 紘平¹ (1.東北大多元研、2.名大IMaSS、3.名大高等研究院、4.筑波大数物系、5.産総研CD-FMat)

キーワード：

窒化物半導体、HVPE、フォトルミネッセンス

縦型GaNパワーデバイスの低キャリア濃度n^-型ドリフト層は専ら有機金属気相エピタキシャル法により形成されるが、炭素(C)濃度と成長速度がトレードオフの関係にあり、高耐圧厚膜ドリフト層成長には原料分子にCを含まないハライド気相エピタキシャル(HVPE)法が適する。本講演では、HVPEによりヘテロ及びホモエピタキシャル成長させたp-GaN:Mgのフォトルミネッセンス(PL)測定結果をGaN基板上MOVPE成長p-GaN:Mgの結果と比較し検討する。