2025年第72回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-K401-1~16]15.4 III-V族窒化物結晶

2025年3月16日(日) 13:00 〜 17:30
K401 (講義棟)
13:00 〜 13:15

[16p-K401-1]フォノン･励起子･輻射モデルにより解析した超薄膜AlN/GaN/AlN量子井戸中の2次元励起子への非輻射過程の影響

〇(D)地崎 匡哉1、石谷 善博1 (1.千葉大院工)
13:15 〜 13:30英語発表

[16p-K401-2]Integrated analysis of the ratio of A1(LO) and E2(high) modes energy shift in Fe-doped GaN with Raman spectroscopy

〇(D)KhaingShwe TheeEi1, Kohei Ueno2, Bei Ma1, Hiroshi Fujioka2, Yoshihiro Ishitani1 (1.Chiba Univ., 2.The Univ. of Tokyo)
13:30 〜 13:45

[16p-K401-3]高濃度SiドープGaNに形成されるバンドギャップ内準位の解析

〇廣瀬 礼也1、近藤 泉樹2、長田 和樹2、宇田 陽2、今井 大地1,2、竹内 哲也1,2、宮嶋 孝夫1,2 (1.名城大理工、2.名城大院理工)
13:45 〜 14:00

[16p-K401-4]光熱偏向分光法によるGaNの熱拡散率解析精度向上へ向けた裏面励起-表面プローブ測定配置の提案

〇澤田 昂希1、田中 翔2、山迫 希2、野村 麻友2、今井 大地1,2、宮嶋 考夫1,2 (1.名城大理工、2.名城大院理工)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[16p-K401-5]直接遷移型半導体自立結晶における時間分解フォトルミネッセンスの解釈

〇(B)田中 大地1、市川 修平2,3、佐野 昂志2、田畑 博史2、小島 一信2 (1.阪大工、2.阪大院工、3.阪大電顕センター)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[16p-K401-6]波長角度分解カソードルミネッセンス法による窒化ガリウム半導体の発光特性評価

〇宇佐美 翔太1、赤瀬 善太郎1、岩満 一功1、横川 俊哉1、藤倉 序章2、冨谷 茂隆1 (1.奈良先端大、2.住友化学株式会社)
14:45 〜 15:00

[16p-K401-7]超高圧アニール処理した無添加およびイオン注入GaNのフォトルミネッセンス評価

〇嶋 紘平1、石橋 章司2、上殿 明良3、Michal Bockowski4,5、須田 淳5,6、加地 徹5、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.産総研CD-FMat、3.筑波大数物系、4.IHPP PAS、5.名大IMaSS、6.名大工)
15:00 〜 15:15

[16p-K401-8]サファイア基板上に有機金属気相成長させたBN薄膜の深紫外発光特性

〇嶋 紘平1、辻谷 陽仁1、秩父 重英1 (1.東北大多元研)
15:15 〜 15:30

[16p-K401-9]HVPE成長Si添加ホモエピタキシャルAlNの発光特性

〇秩父 重英1、菊地 清1、Moody Baxter2、三田 清二2、Collazo Ramon3、Sitar Zlatko2,3、熊谷 義直4、石橋 章司5、上殿 明良6、嶋 紘平1 (1.東北大多元研、2.Adroit Materials, Inc.、3.North Carolina State University、4.東京農工大院工、5.産総研CD-FMat、6.筑波大数物)
15:30 〜 15:45

[16p-K401-10]HVPE成長Mg添加p型GaNのフォトルミネッセンススペクトル(II)

〇秩父 重英1、大西 一生2、渡邉 浩崇2、新田 州吾2、本田 善央2,3、天野 浩2,3、上殿 明良4、石橋 章司5、嶋 紘平1 (1.東北大多元研、2.名大IMaSS、3.名大高等研究院、4.筑波大数物系、5.産総研CD-FMat)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[16p-K401-11]OVPE-GaNにおける熱伝導率の酸素濃度依存性

〇(M1)浅生 晃聖1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、丸山 美帆子1、吉村 政志2、秦 雅彦3、伊勢村 雅士4、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研、3.伊藤忠プラスチックス(株)、4.(株)創晶應心)
16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[16p-K401-12]OVPE法による高Ga2O領域におけるGaNの超高速成長条件探索

〇山田 大介1、宇佐美 茂佳1、東山 律子1、今西 正幸1、丸山 美帆子1、滝野 淳一2、隅 智亮2、岡山 芳央2、吉村 政志3、秦 雅彦4、伊勢村 雅彦5、森 勇介1 (1.阪大院工、2.パナソニックホールディングス(株)、3.阪大レーザー研、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.(株)創晶應心)
16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[16p-K401-13]OVPE法によるGaN結晶成長における炉内多結晶量と貫通大ピットの関係

〇(M1)藤本 直樹1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、丸山 美帆子1、吉村 政志2、秦 雅彦3、伊勢村 雅士4、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研、3.伊藤忠プラスチックス(株)、4.(株)創晶應心)
16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[16p-K401-14]OVPE法によるGaNの口径維持領域の調査

〇寺島 惇平1、宇佐美 茂佳2、中園 翼2、今西 正幸2、丸山 美帆子2、吉村 政志3、秦 雅彦4、伊勢村 雅士5、森 勇介2 (1.阪大工、2.阪大院工、3.阪大レーザー研、4.伊藤忠プラスチック（株）、5.（株）創晶應心)
17:00 〜 17:15奨励賞エントリー

[16p-K401-15]Naフラックスポイントシード法においてGa組成比がGaN結晶合体領域の転位密度に与える影響

〇(M1)佐々木 稜太郎1、鷲田 将吾1、今西 正幸1、村上 航介1、宇佐美 茂佳1、丸山 美帆子1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)
17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[16p-K401-16]Flux-Film-Coated 技術を導入した Na フラックス法におけるGaN 結晶成長雰囲気の高温・高圧化による多結晶抑制

〇田代 知輝1、今西 正幸2、鷲田 将吾2、村上 航介2、宇佐美 茂佳2、丸山 美帆子2、吉村 政志2,3、森 勇介2 (1.阪大工、2.阪大院工、3.阪大レーザー研)
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