講演情報
[16p-K401-11]OVPE-GaNにおける熱伝導率の酸素濃度依存性
〇(M1)浅生 晃聖1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、丸山 美帆子1、吉村 政志2、秦 雅彦3、伊勢村 雅士4、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研、3.伊藤忠プラスチックス(株)、4.(株)創晶應心)
キーワード：
OVPE、熱伝導率、窒化ガリウム
本講演では、OVPE法で育成したGaNの酸素濃度が熱伝導率に与える影響を調査しました。酸素濃度を10¹⁹~10²¹ cm⁻³の範囲で変化させ、熱拡散率、比熱、密度を測定し、熱伝導率を算出しました。実験結果は解析値と比較され、酸素不純物による格子歪みとフォノン散乱が熱伝導率低下に寄与していることが示されました。特に酸素濃度が高いGaNでは、自由キャリアによるフォノン散乱の影響が大きいことが分かりました。