[16p-K401-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[16p-K401-12] OVPE法による高Ga₂O領域におけるGaNの超高速成長条件探索

〇山田 大介¹、宇佐美 茂佳¹、東山 律子¹、今西 正幸¹、丸山 美帆子¹、滝野 淳一²、隅 智亮²、岡山 芳央²、吉村 政志³、秦 雅彦⁴、伊勢村 雅彦⁵、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.パナソニックホールディングス(株)、3.阪大レーザー研、4.伊藤忠プラスチックス(株)、5.(株)創晶應心)

キーワード：

オキサイド気相成長、窒化ガリウム、超高速成長