講演情報
[16p-K401-13]OVPE法によるGaN結晶成長における炉内多結晶量と貫通大ピットの関係
〇(M1)藤本 直樹1、宇佐美 茂佳1、今西 正幸1、丸山 美帆子1、吉村 政志2、秦 雅彦3、伊勢村 雅士4、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研、3.伊藤忠プラスチックス(株)、4.(株)創晶應心)
キーワード：
OVPE、結晶成長、GaN
高品質GaNウエハを低コストで作製するために、OVPE法によるGaNの高速厚膜成長を行っている。高速成長条件において発生するエピ層を貫通する大きなピット(貫通大ピット)の起因は不明であったが、今回結晶育成炉内に発生する多結晶を抑制することで貫通大ピットの大幅な低減に成功した。この成果により炉内の多結晶がエピタキシャル成長面に飛来し付着することが貫通大ピットの主要因であることが明らかになった。