講演情報
[16p-K401-14]OVPE法によるGaNの口径維持領域の調査
〇寺島 惇平1、宇佐美 茂佳2、中園 翼2、今西 正幸2、丸山 美帆子2、吉村 政志3、秦 雅彦4、伊勢村 雅士5、森 勇介2 (1.阪大工、2.阪大院工、3.阪大レーザー研、4.伊藤忠プラスチック（株）、5.（株）創晶應心)
キーワード：
OVPE、窒化ガリウム
GaN基板の口径を維持した成長を目指し，OVPE法によるGaN成長において壁面の垂直成長が可能であるか調査した．成長温度1286℃，N₂OとNH₃流量を変化させ，基板壁面角度や成長レート，多結晶被覆率のマップデータを取得した．N2O流量を下げることで壁面が錐状から垂直になる様子が確認された．またN₂OおよびNH₃流量を下げることで、多結晶は減少傾向となった．低N₂O，低NH₃領域で壁面の垂直成長および多結晶抑制が可能であることが判明した。