講演情報
[16p-K401-16]Flux-Film-Coated 技術を導入した Na フラックス法におけるGaN 結晶成長雰囲気の高温・高圧化による多結晶抑制
〇田代 知輝1、今西 正幸2、鷲田 将吾2、村上 航介2、宇佐美 茂佳2、丸山 美帆子2、吉村 政志2,3、森 勇介2 (1.阪大工、2.阪大院工、3.阪大レーザー研)
キーワード：
窒化ガリウム、Naフラックス、結晶成長
縦型パワーデバイス向けの高品質GaN基板作製には、大口径かつ低転位な基板が求められ、Naフラックス法におけるflux-film-coated (FFC) 技術が有効である。しかし、多結晶の発生が問題となっており、本研究では、従来と比較して高温・高圧条件（880℃、5 MPa）下でFFC技術を適用し、多結晶の発生を調査した。炭素添加量を従来の0.5 mol%から1.0 mol%に増加させると、GaN結晶の高い成長速度を維持しつつ、多結晶の発生を抑制できることが確認された。