[16p-K401-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

13:30 〜 13:45

[16p-K401-3] 高濃度SiドープGaNに形成されるバンドギャップ内準位の解析

〇廣瀬 礼也¹、近藤 泉樹²、長田 和樹²、宇田 陽²、今井 大地^1,2、竹内 哲也^1,2、宮嶋 孝夫^1,2 (1.名城大理工、2.名城大院理工)

キーワード：

トンネル接合、光熱偏向分光法、窒化ガリウム