[16p-K401-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

15:15 〜 15:30

[16p-K401-9] HVPE成長Si添加ホモエピタキシャルAlNの発光特性

〇秩父 重英¹、菊地 清¹、Moody Baxter²、三田 清二²、Collazo Ramon³、Sitar Zlatko^2,3、熊谷 義直⁴、石橋 章司⁵、上殿 明良⁶、嶋 紘平¹ (1.東北大多元研、2.Adroit Materials, Inc.、3.North Carolina State University、4.東京農工大院工、5.産総研CD-FMat、6.筑波大数物)

キーワード：

窒化物半導体、窒化アルミニウム、陰極線蛍光発光測定

AlGaN深紫外LEDの発光内部量子効率向上には、禁制帯内に深い準位を形成する再結合中心(MGRC)の濃度低減が必須である。AlNの場合Al空孔(V_Al)とN空孔(V_N)の空孔クラスタだけでなくV_Alと不純物の複合体もMGRCとなることが示唆されており、不純物と点欠陥双方の低減が必要である。本発表では、物理気相輸送成長c面AlN基板にHVPE成長させた低転位密度・低C_N濃度Si添加AlNのカソードルミネッセンス及び陽電子消滅測定結果を報告する。