講演情報
[16p-K404-11]ポスト電気アニーリング処理によるコロイダルシリコン量子ドット発光ダイオードの外部量子収率増強
〇(PC)山田 博之1、白幡 直人1,2、長尾 忠昭1,3 (1.物質材研、2.北大総化、3.北大理物)
キーワード：
シリコン量子ドット、シリコン量子ドット発光ダイオード、量子ドット
本研究では、シリコン量子ドット(SiQD)発光ダイオードの外部量子収率(EQE)を増強する手段として、一定電圧をデバイスに印加し続ける「ポスト電気アニーリング処理」を開発した。当該手法を適用したデバイスでは光出力密度が増大し、EQEは最大12.2%にまで達した。当該デバイス断面をTEMで観察すると、SiQD間距離の減少が認められたため、発光層中での効率的な電荷注入が実現し、デバイス性能が向上した。