講演情報
[16p-K404-6]有機半導体レーザー材料の濃度消光抑制によるASE閾値の低減化
〇(B)石井 慶吾1,2、合志 憲一1,2,3、安達 千波矢1,2,3 (1.九大工、2.九大OPERA、3.九大I2CNER)
キーワード：
有機半導体レーザー、濃度消光、低閾値
ベンゾオキサゾール(BOX)基を有する有機半導体レーザー材料が新たに報告されたが、剛直な構造のために固体薄膜状態での濃度消光が著しく、ニート膜でASE閾値が大幅に増加してしまう。これを改善するため、我々は中心にビフェニル基を導入した新たな分子を設計し、濃度消光の改善、ニート膜でのASE閾値の低減に成功した。濃度消光抑制によるASE閾値低減化の分子設計としてビフェニル基の導入は有効である。