講演情報
[16p-K405-5]分子線エピタキシー法で作製したCsGeI3高品質薄膜のシフト電流
〇三木 孝馬1、中村 優男2,3、小川 直毅2,3、十倉 好紀1,2,3,4、川﨑 雅司1,2 (1.東大工、2.理研 CEMS、3.理研バトンゾーン、4.東大東京カレッジ)
キーワード：
シフト電流、ペロブスカイトハライド、エピタキシャル薄膜
ペロブスカイト構造を持つゲルマニウムヨウ化物CsGeI3は、大きな自発分極を持つ強誘電体で、かつ強い可視光応答を示すことから、量子位相に駆動される非線形光電流であるシフト電流の研究に適した物質である。本講演では、分子線エピタキシー法を用いてBaF2基板上に配向を制御したCsGeI3の高品質エピタキシャル薄膜を作製し、その薄膜においてシフト電流の観測に成功した結果について報告する。