講演情報
[16p-K501-1]LGAD構造を用いたGaNピクセル粒子位置検出器の作製
〇奥村 宏典1、飯田 哲1、廣瀬 茂輝1、板橋 浩介2,3、外川 学2,3、宮原 正也2,3、磯部 忠昭4、井村 将隆5、西永 慈郎3,6、浦崎 圭吾1 (1.筑波大数理、2.高エネ研、3.QUP、4.理研、5.物材研、6.産総研)
キーワード：
ピクセル検出器、窒化ガリウム、アバランシェ増幅
窒化ガリウム(GaN)は、はじき出し損傷エネルギーが大きく、室温動作が可能であり、電子正孔対の生成確率が大きいことから、長寿命の放射線検出器用材料として優位である。私達は、GaN縦型PNダイオードを用いた重粒子の位置検出を行ってきた。陽子線やβ線の検出には、アバランシェ増幅による信号強度の増大が不可欠である。本研究では、時間分解能向上も考慮し、低利得アバランシェ検出器(LGAD)構造を持つGaNピクセル検出器を作製し、α線を照射した。