[16p-K501-1~19] 2.2 発生装置・検出器開発・計測技術

14:00 〜 14:15

[16p-K501-5] 耐高温中性子検出器に向けた低B 組成BGaN 検出器のB 組成依存性評価

〇工藤 涼兵¹、櫻井 辰大¹、小久保 瑛斗²、都木 克之³、西澤 潤一³、岸下 徹一⁴、櫻井 良憲⁵、八島 浩⁵、牧野 高紘⁶、大島 武⁶、本田 善央⁷、天野 浩⁷、井上 翼¹、青木 徹³、中野 貴之^1,3 (1.静大院工、2.名大院工、3.静大電研、4.高エネ研、5.京大複合研、6.量研、7.名大IMaSS)

キーワード：

BGaN、中性子検出器、半導体