[16p-K503-1~9] KS.1 固体量子センサ研究会

13:15 〜 13:30

[16p-K503-2] 高温における4H-SiC結晶のバナジウム起因発光

〇村田 晃一¹、浅田 聡志¹、佐藤 真一郎² (1.電中研、2.QST)

キーワード：

量子センサ、炭化ケイ素

SiC量子センサーの研究開発においては、シリコン空孔（V_Si^-）が主要な研究対象とされているが、スピン欠陥の候補は多岐にわたり、さらなる材料探索が求められている。4H-SiC結晶中のバナジウム（V）不純物（V⁴⁺）は、殻内遷移に伴うフォトルミネッセンス（Photoluminescence: PL）を1278 nmおよび1334 nmの波長で示すことが知られている。しかし、室温以上の高温環境における発光特性については未だ十分に解明されていない。本発表では、V⁴⁺に起因する発光特性の温度依存性に関する評価結果を報告する。