[16p-P01-1~9] 8.1 プラズマ生成・診断

[16p-P01-8] 二周波重畳容量結合型プラズマの電極への正パルス電圧印加が高アスペクト比ホール底部の電荷蓄積に与える影響

〇(M1)菊池 拓哉¹、赤塚 勇大¹、鈴木 陽香¹、森山 誠²、田村 晃汰²、久保井 宗一²、飯野 大輝²、福水 裕之²、栗原 一彰²、豊田 浩孝¹ (1.名大工、2.キオクシア)

キーワード：

半導体プロセス、高アスペクト比エッチング、電荷蓄積