セッション詳細
[16p-P02-1~7]8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理
2025年3月16日(日) 13:30 〜 15:30
P02 (森戸記念体育館)
[16p-P02-1]ターゲット材料がHiPIMSプラズマ基礎特性に及ぼす影響の数値解析
〇阿部 元暉1、柿沼 慧多1、太田 貴之2、小田 昭紀1 (1.千葉工大、2.名城大)
[16p-P02-2]質量分析法によるCXHY+Arプラズマ中における炭化水素解離過程の解析
〇小野 晋次郎1、恵利 眞人1、奥村 賢直1、鎌滝 晋礼1、古閑 一憲1、白谷 正治1 (1.九大シス情)
[16p-P02-3]a-C:F薄膜の極低温合成と表面改質に関する研究
〇菅野 拓海1、北原 広貴1、篠塚 郷貴2、寺澤 章裕3、佐藤 哲也1 (1.山梨大工、2.山梨大・機器分析センター、3.山梨県産業技術センター)
[16p-P02-4]MoS2合成の核形成低減のためのSi基板のフッ素終端率制御
〇(M1)鬼頭 怜太郎1、荻野 明久1 (1.静大院工)
[16p-P02-5]Development of a Tesla Coil-Based Atmospheric Cold Plasma Device for Plastic Degradation
〇MarkNickole Helorentino Tabafa1, James Roy Lesidan1, Jumar Cadondon1,2, Maria Cecilia Galvez1, Edgar Vallar1 (1.De La Salle University, 2.University of the Philippines)
[16p-P02-6]エッチング反応生成物の電子遷移誘起脱離
〇齋藤 僚1、小澤 一貴1、渡辺 龍星1、佐藤 哲也1 (1.山梨大工)
[16p-P02-7]PCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)におけるプラズマ部ガス流れおよびバイアス電圧が表面粗さに与える影響
〇田中 智之1、大久保 衛1、松坂 俊一郎1、金岡 政彦1、辻岡 正憲1 (1.ジェイテックコーポレーション)