[16p-P07-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[16p-P07-3] プラズマCVDを用いた絶縁基板上の高配向Geワイヤ成長への基板温度の影響

〇植松 実生¹、小林 信一¹ (1.東京工芸大工)

キーワード：

Geワイヤ、プラズマCVD、石英基板

我々は絶縁基板上の低欠陥Ge成長の研究を進めており、石英ガラス基板上に垂直方向に配向するGeワイヤを、プラズマCVD法によるAuを触媒としたVLS法により実現した。講演では、Geワイヤ成長機構と基板温度依存性について議論する。