セッション詳細
[16p-P07-1~8]15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶
2025年3月16日(日) 13:30 〜 15:30
P07 (森戸記念体育館)
[16p-P07-1]スピントロニクス応用へ向けたGeSn薄膜のスパッタリング法による作製と評価
〇(M1)河原林 雄大1、石川 諒2、吉田 健琉3 (1.阪大院工、2.アルバック協働研、3.大和大理工)
[16p-P07-2]GeH4–CVD によるSi(111)基板上SiGe層におけるGe組成の向上
〇今井 友貴1、伊藤 耕平2、勝部 涼司2、宮本 聡2、鈴木 紹太3、南山 偉明3、ダムリン マルワン3,4、宇佐美 徳隆1,2,5 (1.名大未来機構、2.名大院工、3.東洋アルミ、4.阪大院工、5.名大未材研)
[16p-P07-3]プラズマCVDを用いた絶縁基板上の高配向Geワイヤ成長への基板温度の影響
〇植松 実生1、小林 信一1 (1.東京工芸大工)
[16p-P07-4]歪みGeマイクロ浮遊構造の形成と電気特性評価
〇奥谷 惇1、武井 爽一郎1、井上 貴裕1、石橋 脩悟1、澤野 憲太郎1 (1.都市大)
[16p-P07-5]選択的イオン注入法によりクラック発生を抑制したPドープ歪みSiGe/Geの電気伝導特性
〇溝口 稜太1、長尾 優希1、武井 爽一郎1、奥谷 惇1、石橋 脩悟1、山田 道洋1、浜屋 宏平2,3、澤野 憲太郎1 (1.都市大、2.阪大基礎工 CSRN、3.阪大 OTRI)
[16p-P07-6]多層グラフェン合成における協同系触媒効果の実証
〇(DC)野沢 公暉1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院数理物質)
[16p-P07-7]MBE法によるSi(111)基板上GaAsナノワイヤ初期成長段階結晶構造
〇中間 海音1,2、石川 史太郎1,2 (1.北大情科院、2.北大量集セ)
[16p-P07-8]パターニングSi(111)基板上に成長した緩和SiGeバッファー層の結晶評価と電気伝導特性
〇吉田 雄一1、武井 爽一郎1、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大学)