[16p-P07-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[16p-P07-5] 選択的イオン注入法によりクラック発生を抑制したPドープ歪みSiGe/Geの電気伝導特性

〇溝口 稜太¹、長尾 優希¹、武井 爽一郎¹、奥谷 惇¹、石橋 脩悟¹、山田 道洋¹、浜屋 宏平^2,3、澤野 憲太郎¹ (1.都市大、2.阪大基礎工 CSRN、3.阪大 OTRI)

キーワード：

ゲルマニウム、移動度