[16p-P10-1~10] 6.5 表面物理・真空

[16p-P10-6] Si(111)基板上に作製したIn超薄膜の量子井戸状態

〇八田 振一郎¹、山下 真広¹、奥山 弘¹ (1.京大院理)

キーワード：

量子井戸、超薄膜、角度分解光電子分光法

Si(111)基板上に作製したIn超薄膜の電子状態を角度分解光電子分光法を用いて調べた。6原子層以上の膜厚でバルクInのspバンドとSiのヘビーホールバンドの量子井戸状態（QWS）が同時に観測された。InのQWSのエネルギーの膜厚依存性は位相シフト量子化（PSQ）則による予測とよく一致した。基板SiのホールサブバンドのQWSも、InとSiにまたがる波動関数を仮定して同様に解析した。