[16p-P11-1~13] 6.6 プローブ顕微鏡

[16p-P11-10] 導電性AFM による絶縁耐圧測定と絶縁耐圧-表面形状の相関に関する研究

〇(B)CHUN JINHYUN¹、小林 圭¹ (1.京大工)

キーワード：

酸化膜、半導体

本研究では、Si 酸化膜を主たる対象とし、導電性AFM を用いた局所的絶縁耐圧分布の測定システムを構築した。講演では、本システムを用いた実験結果、さらに絶縁耐圧分布と表面形状との相関について考察した結果について報告する。