セッション詳細

[16p-P12-1~6]13.2 探索的材料物性・基礎物性

2025年3月16日(日) 16:00 〜 18:00
P12 (森戸記念体育館)

[16p-P12-1]Ag拡散源の膜厚によるMg2Si-PDの受光感度への影響

〇飯野 有紀1、武井 日出人1、尾嶋 海人1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨城大工)

[16p-P12-2]平底pBN坩堝からブリッジマン成長したMg2Si結晶の結晶成長方位

〇鉄 幸多朗1、島野 航輔1、木村 侑生1、藤久 善司1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨大工)

[16p-P12-3]Sn置換型(InGaO3)(ZnO)大型単結晶の電気特性評価

〇(M2)小海 稜太郎1、平井 萌々香1、高橋 拓海1、井上 禎人1、漆間 由都1、加瀬 直樹1、宮川 宣明1 (1.東理大先進工)

[16p-P12-4]高圧雰囲気でのInGaO3(ZnO)nの大型単結晶育成と物性評価

〇(M1)平井 萌々香1、小海 稜太郎1、山崎 優樹1、高橋 拓海1、井上 禎人1、進藤 勇2、木村 伸二2、渡辺 崇司2、加瀬 直樹1、宮川 宣明1 (1.東理大先進工、2.(株)クリスタルシステム)

[16p-P12-5]スパッタリング堆積法によるSi基板上へのInSb薄膜の成長と評価

〇小金澤 藍登1、久保田 啓聖1、鮎川 瞭仁1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨大工)

[16p-P12-6]エピタキシャルMg3Sb2/Mg3Bi2薄膜の電気特性と構造評価

〇根城 虹希1、鮎川 瞭仁1、切通 望1、栗山 武琉1、鵜殿 治彦1、坂根 駿也1 (1.茨大工)