講演情報
[16p-P12-5]スパッタリング堆積法によるSi基板上へのInSb薄膜の成長と評価
〇小金澤 藍登1、久保田 啓聖1、鮎川 瞭仁1、坂根 駿也1、鵜殿 治彦1 (1.茨大工)
キーワード：
InSb、MWIR
InSbは高い電子移動度と光吸収係数を持つ半導体であり、赤外線受光素子への応用が期待されている。本研究では、スパッタリング法を用いてSi基板上にInSb薄膜を成膜し、その結晶性を評価した。膜厚は堆積時間に比例して増加し、300℃以上の熱処理で結晶化が進行、400℃以上で高い結晶性を持つ多結晶膜が得られたことを確認した。