[16p-P12-1~6] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16p-P12-6] エピタキシャルMg₃Sb₂/Mg₃Bi₂薄膜の電気特性と構造評価

〇根城 虹希¹、鮎川 瞭仁¹、切通 望¹、栗山 武琉¹、鵜殿 治彦¹、坂根 駿也¹ (1.茨大工)

キーワード：

超格子、極点図

分子線エピタキシー法でMg₃Sb₂、Mg₃Bi₂薄膜、およびMg₃Sb₂/Mg₃Bi₂超格子構造を作製し、構造と電気特性を評価した。Mg₃Sb₂は半導体挙動、Mg₃Bi₂は半金属挙動を示し、超格子ではMg₃Bi₂層がキャリア伝導を支配することを確認。これらの構造特性を極点図や逆格子マッピングで詳細に議論する。