講演情報
[16p-P13-1]Si3N4膜とSiO2膜中のサイト間の水素イオンのホッピング
〇奥 友希1、戸塚 正裕1、佐々木 肇1 (1.三菱電機)
キーワード：
水素イオン、ホッピング、ボンド長
Si3N4膜とSiO2膜の膜中の水素イオンのエネルギー障壁と水素イオンから最近接にある窒素原子及び酸素原子までのボンド長を分子軌道法で計算した。活性化エネルギーは夫々2.17～2.86 eV、1.81～2.98 eVと見積もれた。また、水素のホッピングに伴って、N-H及びO-Hボンド長が引き延ばされては、通常のボンド長に戻ることが繰り返されることが分かった。