セッション詳細
[16p-P13-1~5]13.3 絶縁膜技術
2025年3月16日(日) 16:00 〜 18:00
P13 (森戸記念体育館)
[16p-P13-1]Si3N4膜とSiO2膜中のサイト間の水素イオンのホッピング
〇奥 友希1、戸塚 正裕1、佐々木 肇1 (1.三菱電機)
[16p-P13-2]熱ALD法におけるBN成膜機構解析に向けた反応性分子動力学法力場の構築
〇(M1)後藤 星南1,2、徳増 崇2 (1.東北大院工学研究科、2.東北大流体研)
[16p-P13-3]フラッシュランプアニール処理によるSiO2薄膜の改質の評価
〇桐原 芳治1、京谷 和磨1、川合 遼一1、繁桝 翔伍2、谷村 英昭2、加藤 慎一2、満田 勝弘2、三谷 祐一郎1、野平 博司1 (1.東京都市大、2.SCREENｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ)
[16p-P13-4]水素ラジカル処理とGeエピ膜挿入によるAl2O3/Ge界面の特性向上
〇居藤 智鷹1、澤野 憲太郎1、中川 清和2 (1.都市大総合理工、2.アビットテクノロジーズ)
[16p-P13-5]光レクテナのためのスピンコート法を用いた MIM ダイオードの作製
〇(M2)石井 翔1、栁澤 圭亮1、赤羽 隆志1、尹 友1 (1.群馬大学)