講演情報
[16p-P13-4]水素ラジカル処理とGeエピ膜挿入によるAl2O3/Ge界面の特性向上
〇居藤 智鷹1、澤野 憲太郎1、中川 清和2 (1.都市大総合理工、2.アビットテクノロジーズ)
キーワード：
絶縁膜
近年、デジタル化の進展に伴う消費電力の増加が課題となっており、チャネル移動度の高いGeを用いたMOSFETが次世代デバイスとして注目されている。しかし、Ge表面のゲート絶縁膜形成における界面欠陥が性能向上を妨げる問題である。本研究では、分子線エピタキシー(MBE)でGe基板をエピタキシャル成長後、原子層堆積装置(ALD)を用いて高品質な絶縁膜を成膜し、ラジカル処理を行った。エピタキシャルGeの有無によるC-V特性を比較した結果、界面品質の向上にエピタキシャルGeが寄与することを明らかにした。