[16p-Y1311-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[16p-Y1311-14] デバイスシミュレーションの高速逆解析を用いたアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの欠陥分布温度依存性の解析

〇(D)清水 篤¹、木村 公俊¹、井手 啓介¹、片瀬 貴義¹、平松 秀典¹、細野 秀雄¹、神谷 利夫¹ (1.科学大)

キーワード：

a-IGZO 薄膜トランジスタ、欠陥分布解析、デバイスシミュレーション

本研究では、アモルファスIn-Ga-Zn-O (a-IGZO) 薄膜トランジスタ (TFT) の欠陥分布の温度依存性について、これまでに報告のなかった300^oCまでの高温域の解析を行った。a-IGZOは3.0eV以上のバンドギャップを持つにも関わらず、空気中では温度安定性が悪く、150^oC以上の温度で大きな負のV_thシフトとオン電流の低下を示した。高速逆解析による欠陥解析から、温度上昇に伴う深い電子トラップ準位の増加やTFT特性の劣化は、バックチャネルへの空気からの酸素吸着に起因することが分かった。