[16p-Y1311-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[16p-Y1311-6] 絶縁膜堆積後熱処理による高品質SiO₂/β–Ga₂O₃ MOS構造の形成

〇前田 兼成¹、小林 拓真¹、原 征大¹、野崎 幹人¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

Ga2O3、MOS、界面準位密度