[16p-Y1311-1~15] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[16p-Y1311-8] β-Ga₂O₃基板上に成長した(Al_xSc_yGa_1−x−y)₂O₃混晶薄膜の格子整合性

〇是石 和樹¹、相馬 拓人¹、大友 明¹ (1.科学大物質理工)

キーワード：

エピタキシャル成長、ワイドバンドギャップ半導体、酸化ガリウム

ドープされた混晶薄膜とβ-Ga2O3からなるヘテロ接合界面には，高移動度な二次元電子ガスを形成することができる．しかし一般に用いられる(Al,Ga)2O3/β-Ga2O3構造では，格子不整合による欠陥生成の課題が避けられない．一方でAl, Scを共添加した(AlxScyGa1−x−y)2O3混晶薄膜は，カチオンの組成比を調整することでβ-Ga2O3と格子整合できるため，欠陥の少ない高品質なヘテロ構造が実現できると考えられる．そこで本研究では，(AlxScyGa1−x−y)2O3薄膜がβ-Ga2O3と格子整合する条件を調査した．